NX3020NAKW
Symbol Micros:
TNX3020nakw
Gehäuse: SOT323
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 13Ohm; 180mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NX3020NAKW,115;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 13Ohm |
| Max. Drainstrom: | 180mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
| Gehäuse: | SOT323 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 13Ohm |
| Max. Drainstrom: | 180mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
| Gehäuse: | SOT323 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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