NX3020NAKW

Symbol Micros: TNX3020nakw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 13Ohm; 180mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NX3020NAKW,115;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13Ohm
Max. Drainstrom: 180mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: NX3020NAKW,115 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1540 0,0733 0,0411 0,0313 0,0280
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 13Ohm
Max. Drainstrom: 180mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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