NX3020NAKW

Symbol Micros: TNX3020nakw

Gehäuse: SOT323

N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 13Ohm; 180mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NX3020NAKW,115;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	13Ohm
Max. Drainstrom:	180mA
Maximaler Leistungsverlust:	300mW
Gehäuse:	SOT323
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: NX3020NAKW,115 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r

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3000 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1523	0,0725	0,0406	0,0309	0,0277

Widerstand im offenen Kanal:	13Ohm
Max. Drainstrom:	180mA
Maximaler Leistungsverlust:	300mW
Gehäuse:	SOT323
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD