NX7002AKVL Nexperia

Symbol Micros: TNX7002akvl
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO236AB
N-MOSFET 60V 190mA 265mW 4.5Ω NX7002AKVL Series 60 V 190 mA Surface Mount N-Channel TrenchMOS FET - TO-236AB
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,5Ohm
Max. Drainstrom: 190mA
Maximaler Leistungsverlust: 265mW
Gehäuse: TO236AB
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 4,5Ohm
Max. Drainstrom: 190mA
Maximaler Leistungsverlust: 265mW
Gehäuse: TO236AB
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD