NX7002BKMBYL
Symbol Micros:
TNX7002bkmbyl
Gehäuse: SOT883
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 2,8Ohm; 350mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,8Ohm |
| Max. Drainstrom: | 350mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
| Gehäuse: | SOT883 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,8Ohm |
| Max. Drainstrom: | 350mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
| Gehäuse: | SOT883 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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