NXH008T120M3F2PTHG

Symbol Micros: TNXH008T120M3F2PTHG

Gehäuse: PIM29(56.7x42.5)

MOSFET 4N-CH 1200V 129A 29PIM

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	11,5mOhm
Max. Drainstrom:	129A
Maximaler Leistungsverlust:	371W
Gehäuse:	PIM29(56.7x42.5)
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	1200V
Max. Gate-Source Spannung:	22V

Widerstand im offenen Kanal:	11,5mOhm
Max. Drainstrom:	129A
Maximaler Leistungsverlust:	371W
Gehäuse:	PIM29(56.7x42.5)
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	1200V
Max. Gate-Source Spannung:	22V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 175°C