NXH010P120MNF1PTG onsemi
Symbol Micros:
TNXH010P120MNF1PTG
Gehäuse:
PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 14mOhm |
| Max. Drainstrom: | 114A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 413W |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 1200V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NXH010P120MNF1PTG
Gehäuse:
Externes Lager:
9 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 109,1832 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NXH010P120MNF1PTG
Gehäuse:
Externes Lager:
356 stk.
| Anzahl Stück | 28+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 121,9641 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 14mOhm |
| Max. Drainstrom: | 114A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 413W |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 1200V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 150°C |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole