NXH010P120MNF1PTG onsemi

Symbol Micros: TNXH010P120MNF1PTG
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PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 14mOhm
Max. Drainstrom: 114A
Maximaler Leistungsverlust: 413W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 1200V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: NXH010P120MNF1PTG Gehäuse:    
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356 stk.
Anzahl Stück 28+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 112,8456
Standard-Verpackung:
28
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 14mOhm
Max. Drainstrom: 114A
Maximaler Leistungsverlust: 413W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 1200V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C

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