NXH010P120MNF1PTG onsemi
Symbol Micros:
TNXH010P120MNF1PTG
Gehäuse:
PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 14mOhm |
| Max. Drainstrom: | 114A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 413W |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 1200V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 14mOhm |
| Max. Drainstrom: | 114A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 413W |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 1200V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 150°C |
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