NXV90EPR

Name: TNXV90EPR TNXV90EPR
Brand: Nexperia
SKU: TNXV90EPR
Price: 0.1099 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TNXV90EPR

Gehäuse: TO236-3 AB =>SOT23-3

P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 210mOhm; 1,5A; 470 mW; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	210mOhm
Max. Drainstrom:	1,5A
Maximaler Leistungsverlust:	470mW
Gehäuse:	TO236-3 AB =>SOT23-3
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: NXV90EPR RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt

Auf Lager:

20 stk.

Anzahl Stück	3+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,3031	0,1929	0,1353	0,1175	0,1099

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: NXV90EPR Gehäuse: TO236-3 AB =>SOT23-3

Externes Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1099

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: NXV90EPR Gehäuse: TO236-3 AB =>SOT23-3

Externes Lager:

9000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1099

Widerstand im offenen Kanal:	210mOhm
Max. Drainstrom:	1,5A
Maximaler Leistungsverlust:	470mW
Gehäuse:	TO236-3 AB =>SOT23-3
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD