PBSS4120T

Symbol Micros: TPBSS4120T
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
Transistor GP BJT NPN 20V 1A 480mW Automotive 3-Pin SOT-23 Transistor GP BJT NPN 20V 1A 480mW Automotive 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: 480mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor: 470
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 20V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PBSS4120T,215 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
750 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 50+ 250+ 750+
Nettopreis (EUR) 0,2447 0,1217 0,0867 0,0608 0,0543
Standard-Verpackung:
750
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PBSS4120T,215 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
540 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 50+ 250+ 750+
Nettopreis (EUR) 0,2447 0,1217 0,0867 0,0608 0,0543
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 480mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor: 470
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN