PBSS4350Z

Symbol Micros: TPBSS4350z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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NPN-Transistor; 200; 2W; 50V; 3A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; PBSS4350Z,135
Parameter
Verlustleistung: 2W
Hersteller: Nexperia
Gehäuse: SOT223
Stromverstärkungsfaktor: 200
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PBSS4350Z RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
397 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2799 0,1499 0,1167 0,1056 0,1022
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Standard-Verpackung:
500
Verlustleistung: 2W
Hersteller: Nexperia
Gehäuse: SOT223
Stromverstärkungsfaktor: 200
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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