PDTA114ET,215

Symbol Micros: TPDTA114et
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor PNP; 30; 250mW; 50V; 100mA; 180MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor PNP; 30; 250mW; 50V; 100mA; 180MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 30
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 180MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PDTA114ET,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
380 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2977 0,1576 0,1222 0,1127 0,1080
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 30
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 180MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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