PDTA114ET,215
Symbol Micros:
TPDTA114et
Gehäuse: SOT23
Transistor PNP; 30; 250mW; 50V; 100mA; 180MHz; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: PDTA114ET,235 (10K/RL); PDTA114ET,215 (3K/RL); PDTA114ET/DG/B2; PDTA114ET/DG/B4,21;
Parameter
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | NXP |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
| Grenzfrequenz: | 180MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PDTA114ET,215 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
8000 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1110 | 0,0508 | 0,0277 | 0,0207 | 0,0185 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PDTA114ET,215
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
39000 stk.
| Anzahl Stück | 12000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0185 |
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | NXP |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
| Grenzfrequenz: | 180MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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