PDTA115ET

Symbol Micros: TPDTA115et
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin TO-236AB Transistor Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin TO-236AB
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT-23
Stromverstärkungsfaktor: 80
Max. Kollektor-Strom [A]: 20mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PDTA115ET,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1050 0,0481 0,0261 0,0196 0,0175
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT-23
Stromverstärkungsfaktor: 80
Max. Kollektor-Strom [A]: 20mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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