PDTA115ET

Symbol Micros: TPDTA115et
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin TO-236AB Transistor Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin TO-236AB
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 80
Gehäuse: SOT-23
Max. Kollektor-Strom [A]: 20mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PDTA115ET,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4085 0,2248 0,1769 0,1639 0,1570
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 80
Gehäuse: SOT-23
Max. Kollektor-Strom [A]: 20mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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