PDTA123ET smd

Symbol Micros: TPDTA123et
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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PNP 50V 100mA 250mW +res. 2k2+2k2 PNP 50V 100mA 250mW +res. 2k2+2k2
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 30
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PDTA123ET RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
180 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0675 0,0260 0,0127 0,0101 0,0096
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PDTA123ET,215 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
795000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0162
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 30
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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