PDTA123JT
Symbol Micros:
TPDTA123jt
Gehäuse: SOT23
PNP; 100; 250mW; 50V; 100mA; 180MHz; -65°C ~ 150°C; PNP; 100; 250mW; 50V; 100mA; 180MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | NXP |
| Stromverstärkungsfaktor: | 100 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 180MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | NXP |
| Stromverstärkungsfaktor: | 100 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 180MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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