PDTB113ZT NXP

Symbol Micros: TPDTB113zt
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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PNP 50V 0.5A 250mW PNP 50V 0.5A 250mW
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PDTB113ZT RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 5+ 40+ 250+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,2216 0,0792 0,0498 0,0429 0,0403
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Standard-Verpackung:
250
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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