PDTC114ET smd
Symbol Micros:
TPDTC114et
Gehäuse: SOT23
NPN 50V 100mA 250mW +res. 10k+10k NPN 50V 100mA 250mW +res. 10k+10k
Parameter
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | NXP |
| Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 230MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: PDTC114ET,215 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
5440 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2162 | 0,1028 | 0,0578 | 0,0438 | 0,0393 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PDTC114ET,215
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
2801000 stk.
| Anzahl Stück | 30000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0393 |
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | NXP |
| Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 230MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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