PDTC114ET
Symbol Micros:
TPDTC114et c
Gehäuse: SOT23
Transistor NPN; 30; 200mW; 50V; 100mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 30; 200mW; 50V; 100mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C;
Parameter
| Verlustleistung: | 200mW |
| Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 250MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Verlustleistung: | 200mW |
| Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 250MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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