PDTC114EU,115

Symbol Micros: TPDTC114eu

Gehäuse: SOT323

Transistor NPN; 30; 200mW; 50V; 100mA; 230MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 30; 200mW; 50V; 100mA; 230MHz; -65°C ~ 150°C;

Parameter

Verlustleistung:	200mW
Hersteller:	NXP
Stromverstärkungsfaktor:	30
Gehäuse:	SOT323
Grenzfrequenz:	230MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PDTC114EU,115 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt

Auf Lager:

610 stk.

Anzahl Stück	10+	50+	200+	1000+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1016	0,0400	0,0234	0,0171	0,0156

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PDTC114EU,115 RoHS Gehäuse: SOT323 Datenblatt

Auf Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	10+	50+	200+	1000+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1016	0,0400	0,0234	0,0171	0,0156

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PDTC114EU,115 Gehäuse: SOT323

Externes Lager:

2991140 stk.

Anzahl Stück	30000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,0156

Verlustleistung:	200mW
Hersteller:	NXP
Stromverstärkungsfaktor:	30
Gehäuse:	SOT323
Grenzfrequenz:	230MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN