PDTC114EU,115

Symbol Micros: TPDTC114eu

Gehäuse: SOT323

Transistor NPN; 30; 200mW; 50V; 100mA; 230MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 30; 200mW; 50V; 100mA; 230MHz; -65°C ~ 150°C;

Parameter

Verlustleistung:	200mW
Hersteller:	NXP
Stromverstärkungsfaktor:	30
Gehäuse:	SOT323
Grenzfrequenz:	230MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PDTC114EU,115 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt

Auf Lager:

3610 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,3663	0,2023	0,1593	0,1475	0,1413

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PDTC114EU,115 Gehäuse: SOT323

Externes Lager:

27000 stk.

Anzahl Stück	9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1413

Verlustleistung:	200mW
Hersteller:	NXP
Stromverstärkungsfaktor:	30
Gehäuse:	SOT323
Grenzfrequenz:	230MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN