PDTC114TU,115 NXP

Symbol Micros: TPDTC114tu
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
NPN 100mA 50V 200mW NPN 100mA 50V 200mW
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT323
Stromverstärkungsfaktor: 200
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PDTC114TU RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
270 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0811 0,0319 0,0186 0,0137 0,0125
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT323
Stromverstärkungsfaktor: 200
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN