PDTC115ET,215

Symbol Micros: TPDTC115et
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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NPN 20mA 50V 250mW NPN 20mA 50V 250mW
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor: 80
Max. Kollektor-Strom [A]: 20mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PDTC115ET,215 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2380 0,1316 0,0873 0,0728 0,0679
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor: 80
Max. Kollektor-Strom [A]: 20mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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