PDTC123ET smd
Symbol Micros:
TPDTC123et
Gehäuse: SOT23
NPN 50V 100mA 250mW +res. 2k2+2k2 NPN 50V 100mA 250mW +res. 2k2+2k2
Parameter
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | NXP |
| Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | NXP |
| Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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