PDTC123JT smd

Symbol Micros: TPDTC123jt
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
NPN 50V 100mA 250mW +res. 2k2+47k NPN 50V 100mA 250mW +res. 2k2+47k
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 100
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 230MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PDTC123JT RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
9000 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2928 0,1551 0,1202 0,1110 0,1063
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PDTC123JT,235 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
140000 stk.
Anzahl Stück 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1063
Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 100
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 230MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN