PDTC123JT smd

Symbol Micros: TPDTC123jt
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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NPN 50V 100mA 250mW +res. 2k2+47k NPN 50V 100mA 250mW +res. 2k2+47k
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 100
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 230MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PDTC123JT RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
9000 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2932 0,1554 0,1204 0,1111 0,1064
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 100
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 230MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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