PDTC123JT smd
Symbol Micros:
TPDTC123jt
Gehäuse: SOT23
NPN 50V 100mA 250mW +res. 2k2+47k NPN 50V 100mA 250mW +res. 2k2+47k
Parameter
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | NXP |
| Stromverstärkungsfaktor: | 100 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 230MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: PDTC123JT RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
9000 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2928 | 0,1551 | 0,1202 | 0,1110 | 0,1063 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PDTC123JT,235
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
140000 stk.
| Anzahl Stück | 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1063 |
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | NXP |
| Stromverstärkungsfaktor: | 100 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Grenzfrequenz: | 230MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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