PDTC123JU,115 NXP

Symbol Micros: TPDTC123ju
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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NPN 100mA 50V 200mW NPN 100mA 50V 200mW
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 100
Gehäuse: SOT323
Grenzfrequenz: 230MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PDTC123JU,115 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3143 0,1669 0,1295 0,1194 0,1144
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 100
Gehäuse: SOT323
Grenzfrequenz: 230MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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