PDTC123YT,215 NXP

Symbol Micros: TPDTC123yt
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
Transistor NPN; 35; 250mW, 50V; 100mA; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: PDTC123YT.215;
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor: 35
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PDTC123YT,215 Gehäuse: SOT23-3  
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Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor: 35
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN