PDTC123YU NXP

Symbol Micros: TPDTC123yu
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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NPN 50V 100mA 200mW PDTC123YU,115
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT32
Stromverstärkungsfaktor: 35
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT32
Stromverstärkungsfaktor: 35
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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