PDTC143ET,215 NXP

Symbol Micros: TPDTC143et
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
NPN 100mA 50V 250mW NPN 100mA 50V 250mW
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 30
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 230MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PDTC143ET RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
5580 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,3117 0,1719 0,1143 0,0954 0,0888
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 30
Gehäuse: SOT23-3
Grenzfrequenz: 230MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN