PDTC143ET-QR TO236AB NEXPERIA
Symbol Micros:
TPDTC143ET-QR
Gehäuse: TO236AB
Transistor NPN; 30; 250mW, 50V; 100mA; 230MHz, -65°C ~ 150°C;
Parameter
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | NXP |
| Gehäuse: | TO236AB |
| Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
| Grenzfrequenz: | 230MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | NXP |
| Gehäuse: | TO236AB |
| Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
| Grenzfrequenz: | 230MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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