PDTC144ET smd

Symbol Micros: TPDTC144et
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
NPN 50V 100mA 250mW +res. 47k+47k NPN 50V 100mA 250mW +res. 47k+47k
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 80
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 230MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PDTC144ET RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
308 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2779 0,1480 0,1147 0,1059 0,1014
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 80
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 230MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN