PDTD113ZT smd

Symbol Micros: TPDTD113zt
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
NPN 50V 500mA 250mW +res. 1k+10k NPN 50V 500mA 250mW +res. 1k+10k
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PDTD113ZT RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1510 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2510+
Nettopreis (EUR) 0,1277 0,0584 0,0317 0,0236 0,0213
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
2510
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 70
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole