PDTD113ZT smd
Symbol Micros:
TPDTD113zt
Gehäuse: SOT23
NPN 50V 500mA 250mW +res. 1k+10k NPN 50V 500mA 250mW +res. 1k+10k
Parameter
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | NXP |
| Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: PDTD113ZT RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1510 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2510+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1275 | 0,0583 | 0,0316 | 0,0236 | 0,0212 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PDTD113ZT,215
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
18000 stk.
| Anzahl Stück | 15000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0233 |
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | NXP |
| Stromverstärkungsfaktor: | 70 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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