PDTD123YT-QR NEXPERIA

Name: TPDTD123YT-QR TPDTD123YT-QR
Brand: NXP
SKU: TPDTD123YT-QR
Price: 0.0581 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TPDTD123YT-QR

Gehäuse: SOT23

Transistor NPN; 70; 250mW, 50V; 500mA; 1MHz, -65°C ~ 150°C;

Parameter

Verlustleistung:	250mW
Hersteller:	NXP
Gehäuse:	SOT23
Stromverstärkungsfaktor:	70
Grenzfrequenz:	1MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PDTD123YT-QR RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

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3000 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2613	0,1325	0,0803	0,0637	0,0581

Verlustleistung:	250mW
Hersteller:	NXP
Gehäuse:	SOT23
Stromverstärkungsfaktor:	70
Grenzfrequenz:	1MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	50V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN