PEMD2

Symbol Micros: TPEMD2
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT666
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
NPN/PNP 100mA 50V 300mW 230/180MHz +res. 22k+22k NPN/PNP 100mA 50V 300mW 230/180MHz +res. 22k+22k
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT666
Stromverstärkungsfaktor: 60
Grenzfrequenz: 230MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PEMD2 RoHS Gehäuse: SOT666 Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,1896 0,0897 0,0502 0,0379 0,0345
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
500
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT666
Stromverstärkungsfaktor: 60
Grenzfrequenz: 230MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN/PNP

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole