PEMD2

Symbol Micros: TPEMD2
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT666
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NPN/PNP 100mA 50V 300mW 230/180MHz +res. 22k+22k NPN/PNP 100mA 50V 300mW 230/180MHz +res. 22k+22k
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 60
Gehäuse: SOT666
Grenzfrequenz: 230MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PEMD2 RoHS Gehäuse: SOT666 Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,1947 0,0921 0,0515 0,0389 0,0354
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Standard-Verpackung:
500
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 60
Gehäuse: SOT666
Grenzfrequenz: 230MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN/PNP

Symbol Micros

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