PEMD9

Symbol Micros: TPEMD9
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT666
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NPN/PNP 100mA 50V 300mW 230/180MHz +res. 10k+47k NPN/PNP 100mA 50V 300mW 230/180MHz +res. 10k+47k
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 100
Gehäuse: SOT666
Grenzfrequenz: 230MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PEMD9,115 Gehäuse: SOT666  
Externes Lager:
8000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0908
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 100
Gehäuse: SOT666
Grenzfrequenz: 230MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN/PNP

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