PEMH10
Symbol Micros:
TPEMH10
Gehäuse: SOT666
2xNPN 100mA 50V 300mW 230MHz +res. 2.2k+47k 2xNPN 100mA 50V 300mW 230MHz +res. 2.2k+47k
Parameter
Verlustleistung: | 300mW |
Hersteller: | NXP |
Grenzfrequenz: | 230MHz |
Gehäuse: | SOT666 |
Stromverstärkungsfaktor: | 100 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: PEMH10,115 RoHS
Gehäuse: SOT666
Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 5000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1732 | 0,0693 | 0,0402 | 0,0336 | 0,0315 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PEMH10,115
Gehäuse: SOT666
Externes Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück | 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0589 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PEMH10,115
Gehäuse: SOT666
Externes Lager:
24000 stk.
Anzahl Stück | 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0620 |
Verlustleistung: | 300mW |
Hersteller: | NXP |
Grenzfrequenz: | 230MHz |
Gehäuse: | SOT666 |
Stromverstärkungsfaktor: | 100 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | 2xNPN |
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