PEMH13

Symbol Micros: TPEMH13
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT666
2xNPN 100mA 50V 300mW 230MHz +res. 4.7k+47k 2xNPN 100mA 50V 300mW 230MHz +res. 4.7k+47k
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 100
Gehäuse: SOT666
Grenzfrequenz: 230MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 100
Gehäuse: SOT666
Grenzfrequenz: 230MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN