PEMH13

Symbol Micros: TPEMH13
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT666
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
2xNPN 100mA 50V 300mW 230MHz +res. 4.7k+47k 2xNPN 100mA 50V 300mW 230MHz +res. 4.7k+47k
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 100
Grenzfrequenz: 230MHz
Gehäuse: SOT666
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PEMH13,115 RoHS Gehäuse: SOT666 Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2827 0,1555 0,1029 0,0857 0,0806
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
500
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 100
Grenzfrequenz: 230MHz
Gehäuse: SOT666
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole