PEMH13

Symbol Micros: TPEMH13
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT666
2xNPN 100mA 50V 300mW 230MHz +res. 4.7k+47k 2xNPN 100mA 50V 300mW 230MHz +res. 4.7k+47k
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 100
Gehäuse: SOT666
Grenzfrequenz: 230MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PEMH13,115 RoHS Gehäuse: SOT666 Datenblatt
Auf Lager:
120 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 20+ 50+ 123+
Nettopreis (EUR) 0,2612 0,1601 0,1301 0,1071 0,0948
Standard-Verpackung:
123
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PEMH13,115 RoHS Gehäuse: SOT666 Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 3+ 15+ 75+
Nettopreis (EUR) 0,2612 0,1365 0,0948
Standard-Verpackung:
75
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 100
Gehäuse: SOT666
Grenzfrequenz: 230MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN