PMGD400UN SOT363

Symbol Micros: TPMGD400un
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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2xN-MOSFET-Transistor; 30V; 30V; 8V; 830 mOhm; 710mA; 410 mW; -55 °C ~ 150 °C; Obsolete
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 830mOhm
Max. Drainstrom: 710mA
Maximaler Leistungsverlust: 410mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 30V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PMGD400UN RoHS Gehäuse: SOT363 t/r  
Auf Lager:
504 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,3519 0,1953 0,1542 0,1400 0,1356
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Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 830mOhm
Max. Drainstrom: 710mA
Maximaler Leistungsverlust: 410mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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