PMH950UPEH
Symbol Micros:
TPMH950UPEH
Gehäuse: SOT883
P-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 5,5 Ohm; 530mA; 625 mW; -55°C~150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 5,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 530mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 625mW |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 5,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 530mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 625mW |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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