PMN230ENEAX TSOP6 NEXPERIA
Symbol Micros:
TPMN230eneax
Gehäuse: TSOP06
Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 222mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 625mW |
| Gehäuse: | TSOP06 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 222mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 625mW |
| Gehäuse: | TSOP06 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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