PMPB10XNX
Symbol Micros:
TPMPB10XNX
Gehäuse:
Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 12V; 12,2mOhm; 13A; 3W; -55°C ~ 150°C; PMPB10XNX
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 12,2mOhm |
| Max. Drainstrom: | 13A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3W |
| Gehäuse: | DFN2020M-6 |
| Hersteller: | Nexperia |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 12,2mOhm |
| Max. Drainstrom: | 13A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3W |
| Gehäuse: | DFN2020M-6 |
| Hersteller: | Nexperia |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole