PMV160UP

Symbol Micros: TPMV160u
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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P-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 380 mOhm; 1,2A; 480 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: PMV160UP.215;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 380mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 480mW
Max. Drainstrom: 1,2A
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PMV160UP,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
95 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 95+ 380+ 1615+
Nettopreis (EUR) 0,2450 0,1344 0,0896 0,0754 0,0698
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Standard-Verpackung:
95
Widerstand im offenen Kanal: 380mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 480mW
Max. Drainstrom: 1,2A
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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