PMV160UP
Symbol Micros:
TPMV160u
Gehäuse: SOT23-3
P-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 380 mOhm; 1,2A; 480 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: PMV160UP.215;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 380mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 480mW |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: PMV160UP,215 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
95 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 95+ | 380+ | 1615+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2472 | 0,1356 | 0,0904 | 0,0760 | 0,0704 |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: PMV160UP,215 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
5 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2472 | 0,1349 | 0,0885 | 0,0763 | 0,0704 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PMV160UP,215
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
15000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0704 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 380mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 480mW |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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