PMV20ENR

Symbol Micros: TPMV20e
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 34 mOhm; 6A; 1,2 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 34mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,2W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PMV20EN RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
1800 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2636 0,1401 0,1087 0,1003 0,0960
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 34mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,2W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD