PMV20ENR SOT23

Symbol Micros: TPMV20e c

Gehäuse: SOT23

N-Channel MOSFET 30V 6A 21m?@6A, 10V 435pF@15V 510mW(Ta) 6.94W(Tc) TO-236AB SMD 1.1mm H

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	19,5mOhm
Max. Drainstrom:	2,5A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Nexperia
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2026-11-30

Anzahl Stück: 3000

Widerstand im offenen Kanal:	19,5mOhm
Max. Drainstrom:	2,5A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Nexperia
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD