PMV30ENEAR
Symbol Micros:
TPMV30ENEAR
Gehäuse: TO236AB
PMV30ENEA/SOT23/TO-236AB Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 30mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 710mW |
| Gehäuse: | TO236AB |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PMV30ENEAR
Gehäuse: TO236AB
Externes Lager:
6000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0979 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PMV30ENEAR
Gehäuse: TO236AB
Externes Lager:
15000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0962 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 30mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 710mW |
| Gehäuse: | TO236AB |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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