PMV30UN2R

Symbol Micros: TPMV30u
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 160mOhm; 4,2A; 1W; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 4,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PMV30UN2R RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2690 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5484 0,3333 0,2553 0,2307 0,2196
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 4,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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