PMV40UN2R

Symbol Micros: TPMV40u

Gehäuse: SOT23-3

N-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 78mOhm; 3,7A; 1W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: PMV40UN; PMV40UN,215; PMV40UN2R; PMV40UN215;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	78mOhm
Max. Drainstrom:	3,7A
Maximaler Leistungsverlust:	1W
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	12V

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PMV40UN2R,215 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r

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3000 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2891	0,1528	0,1184	0,1093	0,1047

Widerstand im offenen Kanal:	78mOhm
Max. Drainstrom:	3,7A
Maximaler Leistungsverlust:	1W
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD