PMV45EN2R

Symbol Micros: TPMV45e
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 66mOhm; 4.1A; 1,115 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 66mOhm
Max. Drainstrom: 4,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,115W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PMV45EN2R RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3004 0,1644 0,1079 0,0932 0,0859
Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 66mOhm
Max. Drainstrom: 4,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,115W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD