PMV65XP
Symbol Micros:
TPMV65x
Gehäuse: SOT23-3
P-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 135 mOhm; 2,8A; 833 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: PMV65XPEAR; PMV65XP,215; PMV65XP.215;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 135mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 833mW |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2027-12-31
Anzahl Stück: 3000
| Widerstand im offenen Kanal: | 135mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 833mW |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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