PMXB40UNEZ

Symbol Micros: TPMXB40u
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT883
N-MOSFET-Transistor; 12V; 8V; 121 mOhm; 3,2A; 1,07 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 121mOhm
Max. Drainstrom: 3,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,07W
Gehäuse: SOT883
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PMXB40UNEZ RoHS Gehäuse: SOT883 Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2829 0,1813 0,1271 0,1103 0,1033
Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 121mOhm
Max. Drainstrom: 3,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,07W
Gehäuse: SOT883
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD