PMXB43UNEZ

Symbol Micros: TPMXB43u
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DFN1010-3W
Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin DFN-D EP
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 42mOhm
Max. Drainstrom: 3,2A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: DFN1010D-3
Hersteller: Nexperia
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 4,5V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 42mOhm
Max. Drainstrom: 3,2A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: DFN1010D-3
Hersteller: Nexperia
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 4,5V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD