PSMN011-80YS,115 NEXPERIA
Symbol Micros:
TPSMN011-80ys
Gehäuse: LFPAK56 (SOT669)
Trans MOSFET N-CH 80V 67A 5-Pin(4+Tab) LFPAK PSMN011-80YS.115;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 11mOhm |
| Max. Drainstrom: | 67A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 130W |
| Gehäuse: | LFPAK56 |
| Hersteller: | Nexperia |
| Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 11mOhm |
| Max. Drainstrom: | 67A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 130W |
| Gehäuse: | LFPAK56 |
| Hersteller: | Nexperia |
| Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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