PSMN011-80YS,115 NEXPERIA

Symbol Micros: TPSMN011-80ys
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: LFPAK56 (SOT669)
Trans MOSFET N-CH 80V 67A 5-Pin(4+Tab) LFPAK PSMN011-80YS.115;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 67A
Maximaler Leistungsverlust: 130W
Gehäuse: LFPAK56
Hersteller: Nexperia
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 67A
Maximaler Leistungsverlust: 130W
Gehäuse: LFPAK56
Hersteller: Nexperia
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD