PSMN013-30YLC,115 NEXPERIA

Symbol Micros: TPSMN013-30ylc
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: LFPAK
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 16,9mOhm
Max. Drainstrom: 32A
Maximaler Leistungsverlust: 26W
Gehäuse: LFPAK
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 30V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 16,9mOhm
Max. Drainstrom: 32A
Maximaler Leistungsverlust: 26W
Gehäuse: LFPAK
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD