PSMN018-80YS

Symbol Micros: TPSMN018-80ys
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: LFPAK
Trans-MOSFET N-CH 80V 45A Äquivalent: PSMN018-80YS,115;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 45A
Maximaler Leistungsverlust: 89W
Gehäuse: LFPAK
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Msx. Drain-Gate Spannung: 80V
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PSMN018-80YS,115 Gehäuse: LFPAK  
Externes Lager:
4500 stk.
Anzahl Stück 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3416
Standard-Verpackung:
1500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PSMN018-80YS,115 Gehäuse: LFPAK  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3404
Standard-Verpackung:
1500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PSMN018-80YS,115 Gehäuse: LFPAK  
Externes Lager:
27000 stk.
Anzahl Stück 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3334
Standard-Verpackung:
1500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 45A
Maximaler Leistungsverlust: 89W
Gehäuse: LFPAK
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Msx. Drain-Gate Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD