PSMN018-80YS
Symbol Micros:
TPSMN018-80ys
Gehäuse: LFPAK
Trans-MOSFET N-CH 80V 45A Äquivalent: PSMN018-80YS,115;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 18mOhm |
Max. Drainstrom: | 45A |
Maximaler Leistungsverlust: | 89W |
Gehäuse: | LFPAK |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 80V |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PSMN018-80YS,115
Gehäuse: LFPAK
Externes Lager:
4500 stk.
Anzahl Stück | 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3416 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PSMN018-80YS,115
Gehäuse: LFPAK
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück | 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,3404 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PSMN018-80YS,115
Gehäuse: LFPAK
Externes Lager:
27000 stk.
Anzahl Stück | 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,3334 |
Widerstand im offenen Kanal: | 18mOhm |
Max. Drainstrom: | 45A |
Maximaler Leistungsverlust: | 89W |
Gehäuse: | LFPAK |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 80V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | SMD |
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