PSMN057-200B

Symbol Micros: TPSMN057-200b
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-MOSFET-Transistor; 200V; 200V; 20V; 165 mOhm; 39A; 250 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 165mOhm
Max. Drainstrom: 39A
Maximaler Leistungsverlust: 250W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Msx. Drain-Gate Spannung: 200V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PSMN057-200B RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,8527 1,4709 1,3294 1,2587 1,2352
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Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 165mOhm
Max. Drainstrom: 39A
Maximaler Leistungsverlust: 250W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Msx. Drain-Gate Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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